国家/地区 韩国（287）
IPC部 H（287） C（127） B（84）
G（37）
IPC大类 H01（287） C01（114） B82（63）
C23（36） G01（21） B32（16）
B01（14） C30（12） B05（8）
G03（7） H05（6） C07（4）
G02（4） G06（4） G11（4）
IPC小类 H01L（287） C01B（114） B82Y（62）
C23C（33） H01B（17） B32B（16）
G01N（14） B01J（13） C30B（12）
B05D（8） B82B（7） G03F（7）
C01G（4） C07C（4） C23F（4）
IPC H01L029/16（287）
发明人 SHIN H（41） SHIN H J（38） LEE J（28）
LEE J H（27） LEE C（26） LEE C S（25）
PARK S（25） PARK S J（24） BYUN K（21）
BYUN K E（21） SONG H（21） SONG H J（20）
HEO J（19） HEO J S（19） KIM S（16）
公开年 2017（52） 2016（33） 2014（31） 2018（25） 2013（24） 2015（23） 2020（20） 2021（20） 2022（19） 2012（15） 2023（10） 2011（6） 2010（4） 2019（3）
申请年 2015（43）  2016（42）  2013（30）  2014（25）  2017（25）  2012（22）  2020（22）  2021（20）  2019（15）  2011（14）  2018（12）  2022（8）  2010（4）  2008（2）  2009（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（97） UNIV SUNGKYU.（25） GWANGJU INST.（11） KOREA INST S.（9）
UNIST ULSAN .（9） UNIV SEOUL N.（8） ELECTRONICS .（6） LEE Y T（6）
POSTECH ACAD.（6） SHIN H（6） LEE J（5） PARK S（5）
SEO D（5） UNIV IND AC.（5） UNIV KYUNGHE.（5） UNIV YONSEI .（5）
BASF SE（4） BYUN K（4） HANWHA TECHW.（4） HEO J（4）

Complex of heterogeneous two-dimensional materials used in electronic device, comprises substrate, first two-dimensional material layer having two-dimensional crystal structure on substrate, and second two-dimension material layer.

SEOL M, SHIN H, BYUN K, HWANG H, LEE C, KIM H, SUK S H, BYUN K E, HWANGHYUNTAE, LEE C S, KIM H J, JIN J, LI C

Manufacturing semiconductor useful in filed of power conversion devices, electric and electronic systems, comprises e.g. implanting dopant into semiconductor, capping material into two-dimensional honeycomb, and heat treating.

KIMSEONGJUN, KANG M J, SHIN H K, LEE N S, JAE P Y, SUNG M J

Electronic device for use in electronic apparatus, has two-dimensional material layer formed between channel layer and gate electrode, where material layer blocks electron transfer between gate electrode and channel layer.

SHIN K, BYUN K, LEE S, KIM C, LEE C, LI C, JIN C, SHIN K W, BYUN K E, LEESANGSOO, LEE C S

Two-dimensional material structure for use in semiconductor device, has two-dimensional material layer formed on exposed surface of insulator, and another two dimensional material layer including two dimensional materials.

SEOL M, SHIN K W, KWON J, YOO M S, LEE C S, LEE C, YOO M, SHIN K

Field effect transistor comprises substrate, gate electrode on substrate, insulating layer, source electrode on insulating layer, drain electrode spaced apart from source electrode, channel between source electrode and drain electrode comprising two-dimensional material and tensile strain region.

KWON J, SEOL M, YOO M, YOO M S, QUAN J, YU M

Vertical channel array transistor for use in semiconductor device, has graphene insertion layer that is formed between source/drain electrode and channel pattern.

BYUN K, KIM S, KIM C, SHIN K, LEE C, LI C, JIN C, JIN S, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S

Multi bridge channel field effect transistor for use in e.g. memories, has gate insulating layer that surrounds first channel layer, and gate electrode that surrounds first channel layer with gate insulating layer.

KIM C, KIM U, JUNG A, BYUN K, JIN Y, JIN C, JUNG A R, BYUN K E

Electronic device with less contact resistance, comprise metal layer provided on partial region of substrate, two-dimensional material layer formed on metal or noble metal layer of low work function, and upper surface of substrate, and insertion layer formed between metal layer and material layer.

YOO M, SHIN H, SEOL M, KWON J, SHIN H J, YOO M S

Preparing graphene useful in transistor, comprises supplying substituted alkyne based precursor to chamber including first zone and second zone, vaporizing or sublimating precursor in first zone, and depositing sublimed precursor.

LEE H Y, SEO S, CHOI J, LEE H

Electronic device using two-dimensional material, has source electrode that is provided with first source electrode in which metal material is filled in first through hole, and first drain electrode is filled with metal material in second through hole.

JU M, KIM Y, SEO Y, YEON K S, PARK Y, CHAI M J